20世紀
第一個金屬氧化物-硅場效應晶體管（MOSFET）是由埃及工程師Mohamed M. Atalla和韓國工程師Dawon Kahng于1959年至1960年間在貝爾實驗室制造的。 [13] 最初有兩種類型的MOSFET技術，PMOS（p型MOS）和NMOS（n型MOS）。 這兩種類型都是由Atalla和Kahng在最初發(fā)明MOSFET時開發(fā)的，在20微米和10微米的尺度上制造了PMOS和NMOS器件。
1963年，Chih-Tang Sah和Frank Wanlass在Fairchild半導體公司開發(fā)了一種改進的MOSFET技術，即CMOS。1968年，RCA公司將CMOS用于其4000系列集成電路，從20微米工藝開始，在接下來的幾年里逐漸擴展到10微米工藝。
此后，半導體設備制造從20世紀60年代的德克薩斯州和加利福尼亞州擴展到世界其他地區(qū)，包括亞洲、歐洲和中東。
21世紀
今天的半導體行業(yè)是一個全球性的業(yè)務。領先的半導體制造商通常在世界各地都有設施。世界上最大的半導體制造商三星電子，在韓國和美國都有設施。英特爾，第二大制造商，在歐洲、亞洲和美國都有設施。臺積電是世界上最大的純晶圓廠，在臺灣、中國、新加坡和美國都有設施。高通和博通是最大的無晶圓廠半導體公司之一，將其生產外包給臺積電等公司。
自2009年以來，”節(jié)點 “已成為一個用于營銷的商業(yè)名稱，表示新一代的工藝技術，與門長、金屬間距或門間距沒有任何關系。例如，GlobalFoundries的7納米工藝與英特爾的10納米工藝相似，因此傳統(tǒng)的工藝節(jié)點概念已經變得模糊。此外，臺積電和三星的10納米工藝在晶體管密度上只比英特爾的14納米工藝略高。它們實際上比英特爾的10納米工藝更接近英特爾的14納米工藝（例如，三星的10納米工藝的鰭片間距與英特爾的14納米工藝完全相同。4。
截至2019年，英特爾、聯(lián)電、臺積電、三星、美光、SK海力士、東芝內存和GlobalFoundries等公司正在大規(guī)模生產14納米和10納米芯片，臺積電和三星正在大規(guī)模生產7納米工藝芯片，盡管他們的7納米節(jié)點定義與英特爾的10納米工藝類似。5納米工藝在2018年開始由三星生產。截至2019年，晶體管密度最高的節(jié)點是臺積電的5納米N5節(jié)點，其密度為每平方毫米1.713億個晶體管。2019年，三星和臺積電宣布計劃生產3納米節(jié)點。GlobalFoundries決定停止開發(fā)超過12納米的新節(jié)點，以節(jié)省資源，因為它已經確定建立一個新的工廠來處理12納米以下的訂單，這超出了公司的財務能力。截至2019年，三星是先進半導體縮放的行業(yè)領導者，其次是臺積電，然后是英特爾。
